《表1 Cu2O合成条件：采用化学气相沉积方法制备纯净的氧化亚铜》

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《采用化学气相沉积方法制备纯净的氧化亚铜》

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Cu2O薄膜利用自主研发的PSE-CVD系统来制备。实验装置如图1所示。整个实验装置由三部分组成：热蒸发腔、传输腔和沉积腔。沉积过程可简述如下：首先，将乙酰丙酮铜溶于乙醇，得到2.5 mmol/L的溶液，所得溶液通过一个脉冲阀迚入热蒸发腔迚行热蒸发；第二，氧气和氮气将热蒸发后的气体带入传输腔；最后，氧化亚铜薄膜沉积在加热的衬底上。气体流量由MKS质量流量控制计精确控制。衬底温度通过控温仪控制。实验条件见表1所示。