《表2 Cu2O构成成分：采用化学气相沉积方法制备纯净的氧化亚铜》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《采用化学气相沉积方法制备纯净的氧化亚铜》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

注：下标1s与2p是不同的电子轨道名称

为了揭示采用PSE-CVD方法制备出的Cu2O薄膜的化学构成，采用X射线光电子能谱对表面与经过刻蚀后的样品薄膜迚行了测试。表2列出了制备出的Cu2O薄膜的化学成分。从该结果可以看到，刻蚀深度95 nm的时候，Cu∶O的原子比已经接近2∶1，这与XRD测试中得到的Cu2O晶相的鉴定结果相符。除了铜与氧以外，也有少量的碳在XPS测试中被发现存在于样品的表面上，但是随着刻蚀的深度加深，碳的成分急剧减少。经分析，碳成分的来源是周围空气以及前驱溶液成分的分解。