《表2 主要的化学气相沉积方法》

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《半导体淀积工艺及其设备技术研究》

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化学气相沉积又称CVD（Chemical Vapor Deposition），是把含有薄膜元素的气体通过气体流量计输送到反应腔晶片表面，利用加热、等离子体、紫外光或激光等能源，使其相互反应沉积薄膜。CVD分类方法较多，技术成熟又较为常用的有低压化学气相成积（Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD）、金属有机化合物气相沉积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）和等离子体增强化学气相沉积（PECVD），表2为几种CVD的基本原理和性能特点。