《表1 PVX1等离子增强化学气相沉积成膜工艺优化实验设计》

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《基于以顶层ITO为像素电极设计的产品工艺优化》

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PVX1位置膜层出现底切的根本原因在于PVX1刻蚀率大于PVX2刻蚀率，要解决底切问题首先需要进行膜质变更以实现膜层刻蚀率匹配，即要保证膜层刻蚀率满足PVX2>PVX1>GI。在3种氮化硅膜层中，PVX1作为有机膜第一钝化层，功能性要求低且厚度最薄，膜质变更品质风险最小，因此选择调整PVX1膜质较为合适。为此按表1所列成膜条件进行PVX1膜质变更的4因子2水平实验设计，对各条件对应的PVX1单膜刻蚀率进行测量，测量结果如表1所示。