《表2 2018年8英寸Si基GaN外延片及器件研发进展》

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《2018全球第3代半导体产业发展回顾及展望》

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资料来源:CASA整理

SiC同质外延和Si基GaN异质外延片方面，作为应用最广泛的2种第3代半导体材料，目前商业化的最大尺寸为6英寸，为进一步降低器件成本，业界已经研发出8英寸产品。其中，8英寸Si基GaN外延片的研发尤为活跃，2017年以来，业内企业成功研发出8英寸Si基GaN外延片，并在8英寸晶圆上成功开发出GaN电力电子器件（表2）。