《表1 常规结构APD和特殊设计APD的雪崩击穿电压和最大雪崩倍增增益》

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《具有高增益的AlGaN日盲紫外雪崩光电二极管》

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其中：Ip，Id分别为倍增后的光电流和暗电流，Ip0，Id0分别为离化前的光电流和暗电流。通过图2的I-V曲线可以发现，空穴离化是在偏压40 V时开始发生的，依此可以把0～40 V偏压间的平均电流作为离化前的电流。表1是计算出的两种AP-Ds的雪崩击穿电压和最大雪崩倍增增益。从表中可以看出，常规APD的雪崩击穿电压是66.4V，最大雪崩倍增增益是5.79×103，而具有低Al组分p型渐变Alx Ga1-xN层和高/低Al组分AlGa N倍增层的APD的雪崩击穿电压是64.8 V，最大雪崩倍增增益是6.11×104。结果表明，特殊设计的APD雪崩击穿电压相比于常规APD虽然只降低了1.6 V，但是其雪崩增益却增加了一个数量级以上，雪崩击穿电压的下降主要是因为设计的APD有更低的串联电阻和更高的极化电场。雪崩增益提高的主要原因是倍增层中有更强的总电场和低Al组分Al0.2Ga0.8N倍增层具有更高的空穴电离系数。