《表2 雪崩击穿时的电流峰值》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《关于SiC MOSFET雪崩特性的探讨》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

对3种SiC MOSFET进行毁坏性的雪崩测试，在同样的L和UDD下，逐渐增大T值，测得各自的雪崩耐量。表2给出了各MOSFET在L=1mH，UDD=80V下，发生雪崩击穿的充电时间T、雪崩电流峰值Id及其标幺值Id/Irat.。