《表3 PIN二极管模型仿真时使用的物理参数Tab.3 Physical parameters for the PIN diode model used in simulations》

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《一种基于集总电荷的大功率PIN二极管改进电路模型》


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仿真与实验的二极管为1 700 V/1 000 A IGBT模块中反并联PIN二极管。表3为PIN二极管模型仿真时使用的主要物理参数,分别在25℃和125℃下进行仿真,得到的通态特性与数据手册进行对比,如图9所示。