《表3 PIN二极管模型仿真时使用的物理参数Tab.3 Physical parameters for the PIN diode model used in simulations》
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《一种基于集总电荷的大功率PIN二极管改进电路模型》
仿真与实验的二极管为1 700 V/1 000 A IGBT模块中反并联PIN二极管。表3为PIN二极管模型仿真时使用的主要物理参数,分别在25℃和125℃下进行仿真,得到的通态特性与数据手册进行对比,如图9所示。
图表编号 | XD0029931800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.10 |
作者 | 李鑫、罗毅飞、段耀强、刘宾礼、黄永乐 |
绘制单位 | 海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室、海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室、华中科技大学电气与电子工程学院、海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室、海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室 |
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