《表3 辐射试验离子参数Tab.3 Ions parameters of radiation test》

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《基于130 nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计》

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单粒子辐射试验在中国科学院近代物理研究所进行，单粒子参数以及单粒子测试结果如表3和表4所示，其中粒子的能量值由近代物理所确定并给出。根据粒子入射角度与有效LET的关系，为使粒子达到规定的有效LET阈值，所有粒子的入射角度采用垂直入射[17]。