《表1 Si C二极管模块静态测试结果》

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《3.3 kV 60 A H桥高压SiC二极管模块模拟与制作》

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3 300 V 60 A H桥Si C模块静态测试结果如表1所示。常温下，正向电流（IF)60A条件下，测得二极管正向压降（VF）在2.1 V左右；反偏电压（VR)3 600 V条件下，测得芯片漏电流（IR）小于5μA；反向电流（IR)0.05 m A条件下，测得击穿电压高达3 700 V以上。对于3 300 V器件，具有较大的安全余量。