《表3 3C-Si C材料特性仿真与试验结果对比[10]Tab.3 Material properties of single crystal 3C-Si C obtained by experime

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《单晶SiC微切削机理分子动力学建模与仿真研究》

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文献[10]在MD模拟仿真中，利用Tersoff势函数研究了单晶3C-Si C材料特性，计算得到的材料特性仿真与试验对比如表3所示。通过对比可知，采用MD模拟方法，建立单晶3C-Si C进行切削仿真实验，得到的切削力、温度和表面质量对纳米切削试验有一定的预测能力，限于仿真模型尺度，无法通过试验做更好的对比，但通过MD模拟获得的3C-Si C材料特性证明其有一定的理论意义。