《表2 光照参数：二极管光生电流影响因素的仿真研究》

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《二极管光生电流影响因素的仿真研究》

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当光照通过半导体时，会发生光的吸收，出现光的衰减现象；通常情况下，半导体材料能够强烈地吸收光能，当光能足够大时，价带上的电子会挣脱价带的束缚，从价带跃迁至导带，产生电子空穴对，即本征吸收；实际上并不是吸收的能量全部用来产生电子空穴对，当材料掺杂浓度很高的时候，材料内部会发生自由载流子吸收，这种吸收形式并不会产生电子空穴对，它会让材料的温度迅速上升。在进行仿真的时候，电路参数（如偏置、电阻值等）可以利用sentaurus中的system语句来定义。光照参数利用excitation语句来定义:语句中，光照波长直接用wavelength表达，默认单位为μm，光照能量对应的参数是Intensity，它表示单位体积所包含的能量大小；其余参数值（如入射角度以及光照时间）保持固定，光照参数具体数值的选取范围如表2所示，从表2中可以看出，为了考察硅材料本征吸收限以内光生电流的影响因素，光照波长并未超过1.1μm。另外，通过改变parameter文件中的参数确定自由载流子吸收模型，文献[2-5]对相关参数的选取过程进行了说明。