《表1 IGBT器件的热场基本参数》
基于有限元法开展IGBT器件的热场计算,并验证器件材料选取、结构设计和散热器配置的合理性。当器件工作时芯片作为内部热源,其热量沿着各层介质扩散形成温度梯度分布。开展器件热分析首先要确定结构参数和材料参数,通过测量和查询得到器件的主要用于热场计算的参数如表1所示。根据表中的结构参数和导热系数计算得到的各层次材料热阻总和约为0.0134 K/W,这与瞬态双曲线法测试得到器件总热阻结果0.0138 K/W相吻合,反向验证了材料导热系数等取值的合理性。
图表编号 | XD00203681700 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2020.12.20 |
作者 | 厉天威、罗兵、刘磊、项阳、李斌、李敏、唐力 |
绘制单位 | 直流输电技术国家重点实验室(南方电网科学研究院)、直流输电技术国家重点实验室(南方电网科学研究院)、直流输电技术国家重点实验室(南方电网科学研究院)、直流输电技术国家重点实验室(南方电网科学研究院)、直流输电技术国家重点实验室(南方电网科学研究院)、直流输电技术国家重点实验室(南方电网科学研究院)、直流输电技术国家重点实验室(南方电网科学研究院) |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |