《表1 几种高压生成电路的性能参数对比》
将本文电路与文献[8]、文献[9]中的高压生成电路进行比较,结果列于表1。可以看出,本文高压生成电路具有较高的升压效率,输出电压的上升速度更快,能够满足3DNAND存储器的实际应用需求。
图表编号 | XD0037905600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.20 |
作者 | 李成、赵野、苗林、杨林、王乾乾 |
绘制单位 | 长江存储科技有限公司、中国科学院微电子研究所、中国科学院大学、中国科学院微电子研究所、长江存储科技有限公司、长江存储科技有限公司、长江存储科技有限公司、中国科学院微电子研究所、中国科学院大学 |
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