《表1 优化流程对比：0.8μm高压BCD电路漏电失效改善》

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《0.8μm高压BCD电路漏电失效改善》

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0.8μm高压BCD电路设计规则中金属1的最小间距是1μm，因此第一层Si O2的厚度应小于500 nm；同时考虑到对下层金属的保护，最终选择了330 nm作为第一层Si O2的厚度。为保持介质2厚度不变，加厚了最后一层Si O2，流程对比如表1所示。