《表1 最小二乘法求得Gd2Si O5及Gd2Si O5∶RE的晶格参数精确值Tab.1 Accurate values of lattice parameter for Gd2Si O5and Gd

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《新型Gd_2SiO_5∶RE荧光粉的制备和发光性能》

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图8为Eu3+掺杂量对Gd2SiO5∶Eu3+粉末620 nm（Eu3+的5D0→7F2）发光强度的影响，其中的插图为WFH-203B型三用紫外分析仪254nm激发下的荧光照片。如图所示，Eu3+掺杂量为7%时发光强度最大。随着Eu3+的增加（1%、3%、5%、7%），发光强度随之增大，当掺杂量为7%时亮度最亮，随后随着掺杂量的继续升高（9%）强度开始降低。测量Eu3+为7%条件下，254，277，396，466 nm激发550~650 nm波段发射对应的量子效率分别为80%、75%、60%和40%。