《表2 非晶Si填槽工艺参数设计Tab.2 Design of amorphous Si filling process parameters》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《沟槽栅IGBT非晶Si填槽工艺研究与优化》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

根据LPCVD非晶Si填槽工艺显著因子的主效应结果，本文LPCVD非晶Si填槽工艺参数θ，p和qV，Si H4的中心值分别取540℃，400 m Torr和180 cm3·min-1。在此条件下，对显著因子qV，PH3和t进行单因子拉偏实验，具体参数设计如表2所示。