《表1 器件的光伏参数Tab.1 Photovoltaic parameters of devices》

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《采用300 nm周期孔阵图形提高P3HT:PCBM有机太阳能电池效率研究》

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当刻蚀深度为60nm，器件的开路电压（Voc）0.44V比标件0.45V略低一点，但电流密度（Jsc）从7.75提高到8.04 mA/cm2，增强比约高达4%，PCE从1.539%增加到1.67%。带有孔阵图形的2~6号器件的填充因子（FF）44.12%都比1号标件高，说明微结构的加入确实可以改变并提高有机太阳能电池的输出特性。同时，引入微结构可以增大异质结接触面，使激子扩散增强，从而提高PCE，如表1所示。