《表1 模拟所使用的器件参数Tab.1 Device parameters used in the simulation》

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《一种具有顶层电流路径的新型SOI LDMOS结构》

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图1为具有顶层电流路径的新型SOI LDMOS结构（TCP-LDMOS）示意图。整个器件由两部分上下反向堆叠而成，且上半部分的长度小于下半部分。源极和栅极位于左侧刻蚀形成的台阶，而漏极位于右侧刻蚀形成的台阶。下半部分的SOI硅层包含P-top层和若干位于埋氧层上方的等间距N+电荷岛。模拟所使用的器件参数如表1所示。为了便于比较，TCP-LDMOS与常规结构的SOI LDMOS（C-LD-MOS）、常规电荷岛结构的SOI LDMOS（CI-LD-MOS）参数基本相同。