《表1 25℃下不同器件参数Tab.1 Different device parameters under 25℃》

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《应用于车载充电机的高效率交错并联PFC设计》


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根据开关管的电压电流应力，所选取的MOSFET STW48NM60N及MOSFET IXFK44N60参数对比如表1所示.交错并联PFC电路损耗主要由滤波电感损耗及开关管损耗组成.开关管损耗由通态损耗、开通损耗、关断损耗及驱动损耗构成.接下来就所选取的MOSFET开关管进行损耗分析.

图表编号XD0018943800    严禁用于非法目的
绘制时间2018.12.28
作者刘秋花、林琼斌、苏先进
绘制单位福州大学电气工程与自动化学院、福州大学电气工程与自动化学院、福州大学科华恒盛电力电子技术研究中心、福州大学科华恒盛电力电子技术研究中心
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