《表2 不同驱动电路无源器件基本参数Tab.2 Basic parameters of passive devices for different drive circuits》

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《一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动设计》

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为了验证改进抑制串扰驱动电路的有效性，本文基于SiC MOSFET器件C2M0080120D，搭建了如图9所示的双脉冲测试实验平台，并对传统驱动电路、典型抑制串扰驱动电路、改进抑制串扰驱动电路进行了实验对比。图10给出了改进抑制串扰驱动电路原理。其具体参数设置如下:辅助支路中的NPN和PNP三极管分别选择低饱和压降、高阻断压降且能承受较大集电极电流的中等功率三极管ZXTN25100BFHTA和ZXTP25100BFHTA，辅助支路中的肖特基二极管选择低导通压降、快反向恢复特性的1N5819HW-7-F，光耦隔离芯片选择具有快转换速率的ACPL-4800，驱动芯片选择具有较强驱动能力的IXDN609，负载电感为400μH，电路中其他无源器件的基本参数见表2。