《表1 不同栅长和结构器件的fT Tab.1 fTof devices with different gate lengths and structures》
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《AlGaN/GaN HEMT凹栅槽结构器件的频率特性》
图7为不同栅长和结构器件的fT和fmax，从图7中看出，随着栅长缩短，器件的fT和fmax基本上是线性增加，所以推测在一定范围内，随着栅长继续缩短，器件的fT和fmax还会继续提高。
| 图表编号 | XD00188429800 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.06.03 |
| 作者 | 肖洋、张一川、张昇、郑英奎、雷天民、魏珂 |
| 绘制单位 | 西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院、中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室、西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院、中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室、西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院、中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室 |
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