《表1 多晶硅组件参数：基于光谱分布差异修正的多晶硅组件PR模型研究》

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《基于光谱分布差异修正的多晶硅组件PR模型研究》

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实验地点在河海大学常州校区实验楼的3楼天台，时间为2017年11月28日（阴天）、11月30日（阴天）、12月1日（晴天），共3 d。为减少组件表面积灰对PR产生影响，每次实验都进行组件清洗。Avantes户外光谱仪测量太阳光谱分布，采集间隔为5 min，并且光谱测试探头端口平面与组件平面平行；JK-XU多路温度测试仪测量组件的温度采集间隔为1 min；辐照计测量辐照度采集间隔为1 min；AV6591便携式太阳电池测试仪测量组件功率，采集间隔为5 min。实景图如图3所示，多晶硅组件参数见表1。