《表1 相关参数选取：基于MCNP程序计算HFETR入单晶硅对周期监测的影响》

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《基于MCNP程序计算HFETR入单晶硅对周期监测的影响》

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HFETR实际运行中，周期监测仪裂变电离室置于堆芯活性区中心靠下的位置。本文使用MCNP程序建立了HFETR在一个堆芯装载下的物理计算模型。在模型中，设置KCODE临界源卡为:KCODE 20000 1 10 5000，模拟1亿个粒子的输运过程，使误差控制在允许范围内[4]。同时，由于单晶硅进入堆芯过程中引入的扰动很小，为使计算结果准确，本文采用微扰法进行分析[5]。在模型中，将堆芯活性区高度处的8#辐照孔道分为20段，通过设置PERTn卡模拟单晶硅分段进入堆芯过程[6]。建模计算选取的相关参数如表1所示。