《表2 滑移面与 (211) 面交线晶向》

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《碲镉汞红外焦平面响应图“交叉线”特征起源探讨》

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基于前述碲镉汞晶体滑移系统的分析方法，可拓展到（211）B衬底上采用分子束外延技术生长的碲镉汞薄膜晶体滑移的分析。在（211）B面衬底上采用MBE技术生长碲镉汞时，计算滑移面与（211）面的交线时只需考虑面与（211）面的交线。计算结果如表2。