《表4 不同散热器温度下器件的导通损耗》

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《功率半导体模块的温控散热器设计方法》

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此外，在搭建完成的温控散热器平台上，分析散热器温度对功率半导体器件导通损耗的影响。选取典型的功率半导体器件IGBT作为待测器件，通过温控系统将散热器温度稳定在不同温度下，对单个IGBT施加30 A恒定电流，并保持器件导通，使用文献[21-22]中所述测量电路，提取的IGBT的导通损耗如表4所示，表中，散热器温度不控表示测量时散热器温度不加控制，此时，散热器温度为53.2℃。可以发现，随着散热器温度升高，在同样的导通电流下，功率半导体器件的导通压降会随着散热器温度升高而增大，对应其导通损耗也会增大；因此，散热器温度会对导通状态的IGBT的导通压降及导通损耗产生影响。