《表2 工艺的主要参数Tab.2 Main parameters of the technology》

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《基于SiGe BiCMOS工艺的802.11ac系统射频前端芯片设计》


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本芯片采用的工艺为0.35μm SiGe BiCMOS工艺，该工艺的主要参数如表2所示。

图表编号XD0021737900    严禁用于非法目的
绘制时间2018.12.25
作者陈亮、朱彦青、陈悦鹏
绘制单位南京国博电子有限公司、南京电子器件研究所、南京国博电子有限公司、南京电子器件研究所、南京国博电子有限公司、南京电子器件研究所
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