《表1 EEES系统的主要功率器件参数》

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《一种应用于经颅磁刺激脉冲宽度可调的节能型激励源》

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EEES拓扑结构的简化示意图如图4所示。相关的器件参数见表1。为了减少回路中杂散电感的影响，本文设计了一种基于H桥的激励源电路拓扑结构，将扁平导线两两贴合在一起用来连接电容器C与IGBT，减小了回路面积。通过开通IGBT1和IGBT2实现电容器C向线圈L快速放电，产生脉宽可控的脉冲电流。回路电阻r包含刺激线圈的内阻rL、电容C的等效串联电阻rC、IGBT的导通电阻rs和导线的电阻rw四部分，总电阻为40mΩ。