《表1 碳化硅器件典型封装参数》
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表1介绍了目前典型的碳化硅器件封装结构，并介绍了相对应的杂散电感参数，根据其中的相关数据可以发现，消除金属键合线之后，杂散电感参数显著下降，均不超过5 nH。
| 图表编号 | XD00148050400 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2019.12.15 |
| 作者 | 李洪涛 |
| 绘制单位 | 青岛滨海学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
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