《表2 塑料双列直插封装的CC4069器件各结构沉积剂量》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《次级电子不平衡对CMOS器件敏感区吸收剂量和电离总效应的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

以表1的器件结构模型数据，应用Mulassis程序建立模型，进行蒙特卡罗输运计算。辐照射线为60Coγ射线，平均能量为1.25 MeV。同时计算了器件辐照试验模型和硅材料中的深度剂量分布。将60Coγ射线在硅中的深度剂量分布曲线的最大值设为标称剂量100 Gy，这也代表了满足次级电子平衡条件下测量的辐照试验所处位置的标称剂量。以标称剂量对计算所得的器件各结构中吸收剂量归一，则塑料封装CC4069器件各结构的剂量如表2所示。