《表2 各类磁电阻器件的典型技术参数对比》

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《磁电阻/超导复合式磁传感器:原理及发展》

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由于贴合TMR器件与超导磁放大器的低温胶过厚导致TMR—超导磁放大器间距过大（50μm），使得TMR/超导复合式磁传感器的灵敏度、探测精度较GMR/超导复合式磁传感器、SQUID等器件仍有明显差距。理论计算表明，减小TMR—超导磁放大器间距将使得磁场放大倍数呈指数形式上升；若能将TMR—超导磁放大器间距降低至0.5μm以内，磁场放大倍数可接近1000倍。今后可通过热压印等技术减小TMR—超导磁放大器间距，从而提高器件的灵敏度。