《表1 本文提出的混频器的参数Tab.1 Parameters used in proposed mixer》

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《无片上电感的低功耗高线性度CMOS混频器》

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图5a和图5b分别是本电路中PMOS与NMOS的g'm，g″m模拟图。结合图5a和（14）式可知，利用PMOS的-g'mp和NMOS的g'mn在一定区域内反相变化的特性，可以在一定偏置范围内使g'mn-g'mp得到一个较小的值；从图5b可知PMOS和NMOS的三阶跨导变化同相，都有过零点的特性。因此，可以选择合适的偏置电压，使得g″mn+g″mp也得到一个较小的值，从而改善线性度。由于本文提出的互补结构中的PMOS和NMOS是独立偏置，并未使用同一个栅极偏置电压，因此可以独立选取不同的偏置电压。针对上文的导数叠加技术分析，结合图5的仿真结果，合理选择了PMOS和NMOS的偏置电压和晶体管尺寸，表1为电路的关键参数。最终，跨导级工作在亚阈值区，同时g'mn-g'mp和g″mn+g″mp都非常小。