《表1 两种阱接触距离下, 左右SRAM的单粒子响应情况》
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将两种阱接触距离（5μm和0.25μm）下的左右SRAM的单粒子响应情况列于表1中.可以看出，减小阱接触距离，可减弱邻近SRAM的寄生双极晶体管效应并降低MCU的发生概率.
| 图表编号 | XD0017155800 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.10.01 |
| 作者 | 赵雯、郭晓强、陈伟、罗尹虹、王汉宁 |
| 绘制单位 | 西安交通大学核科学与技术学院、西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室、西安交通大学核科学与技术学院、西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室、西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室、西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室、北京微电子技术研究所 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
