《表2 1、2方向斜入射下, 左右SRAM的单粒子响应情况》
提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式
将1、2方向斜入射下，左右SRAM的单粒子响应情况列于表2中.通过对比可以发现，在入射角相同（55o）的情况下，方位角不同也会影响MCU的发生.即使阱接触距离很近，斜入射仍存在触发邻近SRAM的寄生双极晶体管效应并导致MCU的可能.
| 图表编号 | XD0017155900 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2018.10.01 |
| 作者 | 赵雯、郭晓强、陈伟、罗尹虹、王汉宁 |
| 绘制单位 | 西安交通大学核科学与技术学院、西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室、西安交通大学核科学与技术学院、西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室、西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室、西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室、北京微电子技术研究所 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
