《表1 质子与器件布线层作用后产生的粒子种类及平均能量》

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《空间高能粒子与器件布线层核反应后次级粒子LET分布研究》

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根据上述方法，建立起典型的CMOS工艺器件结构单元模型利用GEANT4程序计算高能粒子在半导体器件内相互作用的物理参数。由于篇幅的限制，选取了质子、氦核的能量由低能到高能递增的方式来分析其影响规律。另外，由于输入能谱的置信度、蒙特卡洛仿真的随机数选取及次级粒子核反应的截面数据等因素是导致表1～2结果存在系统误差。因此表1～2的结果中原子序数Z为3～9的次级粒子数据误差范围在50%以上，而其它次级粒子的数据误差范围在10%以内。