《表2 不同能量质子在硼硅酸盐玻璃中的射程及射程分散》

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《质子辐照硼硅酸盐玻璃盖片的物理效应分析》

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表2为质子在硼硅酸盐玻璃中的射程及射程分散情况，随入射能量变化的情况与图3中的一致。且从表2可以看出，30～120 keV的质子在硼硅酸盐玻璃中的入射深度小于1.2μm，可见低能质子射程小，从而会对靶材料表面处的微观结构造成损伤。