《表1 器件C1～C5部分性能参数》

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《基于有机异质结C_(60)/ZnPc的绿色磷光TOLED》

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Vt:Turn-on voltage at the luminance of 1cd·m-2；Vo:Operating voltage at the luminance of 1 000cd·m-2；L:Luminance at the current density of 20mA·cm-2；E1000:Current efficiency and P1000:power efficiency at luminance of 1 000cd·m-2；Emax:Maximum current eff

器件C1～C5的电流效率-亮度-功率效率（E-L-P）特性曲线如图5（b）.从图中可知，叠层器件C2～C4的电流效率和功率效率随着CGL一侧电荷注入层Al厚度增加而增加；而器件C2和C5的功率效率明显低于单层器件.这一方面是因为当没有Al层或Al层太薄时，电子注入层对CGL的电荷提取能力太弱，只有部分分离的电子隧穿过LiF到达TPBi中，引起叠层器件底部发光单元从阳极注入的空穴和CGL分离的电荷严重不匹配.另一方面，LOU X等[28]曾报道1～2nm Al在有机材料层之间可形成小规模Al纳米颗粒，在外电场下通过表面电荷聚集引起局部电场增加而成为高效的电子注入热点，其电子注入效率严重依赖于Al纳米颗粒的大小；随着Al层厚度逐渐增加时，热点数量增加，电子注入效率增加，当Al纳米颗粒逐渐增大并成膜时，热点注入效应减弱并消失，其电子注入随之减弱.这意味着在CGL中随着Al厚度的增加并逐渐形成连续薄膜时，C60一侧电子注入能力随之降低，同样导致叠层器件中电荷注入严重不平衡，使得叠层器件电流效率和功率效率并没有得到提升.所以，要获得性能成倍增加的叠层器件，CGL分离的电荷必须尽可能与两侧电极注入的电荷平衡.因此，当LiF、Al、C60、ZnPc和MoO3厚度分别为0.5nm、1nm、5nm、5nm和3nm时，叠层器件C4具有最佳光电性能，器件C1～C5部分性能参数如表1.相比于单层器件C1，叠层器件C4的最大电流效率增加2倍，驱动电压低于其2倍，同时功率也得到一定改善.器件C4的最大亮度、电流效率和功率效率分别达到了84 660cd·m-2、94.7cd·A-1和43.0lm·W-1，其性能明显优于一些掺杂结构类[12，13，18]和金属氧化物类[8-10]等结构的CGL；同时，本文采用的CGL为非掺杂结构，不仅降低了CGL和叠层器件的制备难度，且有效避免了掺杂工艺带来器件制备难度增加等问题.