《表1 各OLED的器件结构》

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《在Liq中掺杂Yb作为电子注入层修饰电极Yb/Al》

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在蒸镀设备中放好玻璃，抽真空，在真空度达到5.3×10-4 Pa以下就可以开始蒸镀，蒸镀、测试在超净间完成。蒸镀4组器件，器件结构分别是（a）第一组：ITO/HAT-CN（10nm）/TAPC(60nm）/CBP∶Ir(ppy）3（20nm∶10%）/TmPyPB(45 nm）/Liq/Yb(x nm）/Al(100 nm）（100nm），器件A、B、C的Yb厚x分别是0.15，0.4，0.5nm；(b）第二组：ITO/HAT-CN(10nm）/TAPC(60nm）/CBP∶Ir(ppy）3（20nm∶10%）/TmPyPB(45nm）/Liq∶Yb(2nm∶y%）/Al(100nm），器件D、E、F、G的Yb的掺杂质量分数分别是1.35%、1.85%、2.45%和3.15%；(c）第三组器件H:ITO/HAT-CN(10nm）/TAPC(60nm）/CBP∶Ir(ppy）3（20nm∶10%）/TmPyPB(45 nm）/Liq∶Yb(2 nm∶1.85%）/Yb(0.4nm）/Al(100nm）和（d）第四组参考器件I:ITO/HAT-CN(10 nm）/TAPC(60 nm）/CBP∶Ir(ppy）3（20nm∶10%）/TmPyPB(45nm）/Liq(2nm）/Al(100nm）。OLED器件结构如图1(a）所示，能级图如图1(b）所示。各OLED的器件结构如表1所示。因为最优性能的器件和参考器件对比，电压稍高，而Liq的膜厚影响电子注入效果，所以又蒸镀了一组最优掺杂比不同Liq膜厚的单电子器件和参考器件的单电子器件做对比。最优掺杂比的单电子器件结构是Liq∶Yb(z nm∶1.85%）/Al(100nm），器件J、K、L的Liq的膜厚z分别是1.5，2，2.5nm，参考器件的单电子器件M结构是Liq(2nm）/Al(100nm）。HAT-CN的蒸镀速率约0.02nm/s，TAPC的蒸镀速率约0.2nm/s，CBP∶Ir(ppy）3主体蒸镀速率约0.2 nm/s，TmPyPB的蒸镀速率约0.2nm/s，Liq的蒸镀速率约0.02nm/s，Liq∶Yb的主体速率约0.02nm/s，Yb的蒸镀速率约0.002nm/s，Al的蒸镀速率约0.5～1nm/s。