《表1 石墨烯量子点的能隙》

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《扭曲状石墨烯及其掺杂量子点的荧光性能》

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eV

本文计算了扭曲状GQDs的态密度，如图3所示，并将相关数据总结于表1．由数据可知，扭曲状GQDs的能隙宽度为1.827 eV，掺杂后能隙宽度出现不同程度的减小，这是因为杂质原子的掺入会出现定域能级，其能级位于禁带之中，导致能隙宽度减小，定域能级的出现有助于电子跃迁．其中电子受体B原子的掺入会导致HOMO能级和LUMO能级均升高，费米能级进入价带，扭曲状GQDs呈现出P型半导体特性．而掺入给电子体N后，扭曲状GQDs的HOMO能阶和LUMO能阶均出现降低，其中HOMO能阶变化微小，LUMO能阶降低明显，相比于掺入给电子体B，掺入受电子体N后扭曲状GQDs表现出更窄的带隙宽度和更好的导电能力．