《表2 全硼富勒烯B40和Ni原子外部吸附和笼内封装的电子能隙Egap》

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《Ni原子表面吸附和笼内封装掺杂硼富勒烯B_(40)的功能化应用研究》

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其中，EHOMO、ELUMO分别为最高占据分子轨道和最低未占据分子轨道的能级，计算结果如表2所示。可以看出，无论Ni原子对硼富勒烯B40的表面化学吸附还是笼内内嵌封装均可一定程度改变和调整硼富勒烯B40的能隙，并使能隙有明显减小的趋势。其中，B40@Ni-6in金属富勒烯能隙最小，其值为0.97 e V，几乎是硼富勒烯B40能隙1.72 e V的一半。需要指出的是，基于密度泛函理论的电子特性计算经常在一定程度上低估了材料的能隙。但，对Ni掺杂的金属富勒烯能隙的讨论是与硼富勒烯B40的能隙相对而言的，其能隙相对差值具有同样的参考意义。因此，根据我们的计算结果，在实际材料的应用中，可以通过改变Ni原子的掺杂位置来实现对材料电子特性调整和控制的目的。