《表1 CIGS的主要自掺杂点缺陷类型及作用》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《铜铟镓硒电池光电材料设计Ⅱ：缺陷机制和窗口层》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

CIGS是多元半导体材料，其组分的复杂性带来多种类型的本征缺陷形式[1]。由于黄铜矿结构中化学计量比偏移的容忍度较大，带来复杂的本征缺陷自掺杂特性。也正是这些少量的空位、取代缺陷赋予CIGS具有更宽的电性能调谐范围。CIGS的半导体类型主要由Cu、In含量及高温硒化时气氛决定[2，3]，其导电机理主要是铜空位（V-Cu）、硒空位（VSe）和铟代铜（InCu）缺陷综合作用的结果。当CIGS体系中Cu化学计量比不足，且在高Se气氛下退火时，浅受主V-Cu起主导作用，VSe也在一定程度上起补偿施主的作用，CIGS为P型半导体；当In含量高于化学计量比且在低Se气氛中退火时，施主VSe起主导作用，CIGS为N型半导体。CIGS中主要缺陷及其能级如表1所示。