《表1 两种外延工艺条件比对》
采用如表1所示的2种外延工艺条件在重掺衬底上进行硅外延层的沉积。
图表编号 | XD00172837700 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2020.04.01 |
作者 | 傅颖洁、李明达 |
绘制单位 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
采用如表1所示的2种外延工艺条件在重掺衬底上进行硅外延层的沉积。
图表编号 | XD00172837700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.04.01 |
作者 | 傅颖洁、李明达 |
绘制单位 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
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