《表1 碳包裹物来源、形成机理和改善方法[7,11-12]》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《4HN-SiC包裹物在薄层同质外延中的转化》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

包裹物在4HN型SiC晶体中以颗粒或云雾状形态存在。PVT法制备的SiC晶体中，包裹物主要分为碳包裹物和SiC颗粒包裹物两种。碳包裹物在晶体生长中主要来源于所用石墨件、粉料石墨化和表面碳凝聚[7，11-12]。表1显示了碳包裹物不同来源的形成原因、机理和有效的改善方法。SiC颗粒包裹物的来源是被碳包裹的硅液滴。这是由于晶体生长初期，气态硅的分压远大于其他气体的平衡分压，在富硅环境下温度或压力梯度的变化导致晶体中引入硅液滴并被碳硅化合物等异质包裹，并在其周围产生一些晶向杂乱的SiC颗粒，导致SiC颗粒状包裹物形成。根据其形成原因，通过稳定地控制生长压力、温度、生长速率以及通入和硅反应的气体能够有效抑制碳包裹硅滴的产生。