《表6 不同气体压强碳纳米管生长工艺参数》
在PECVD腔室中,CH4和H2两种气体的总压强直接影响等离子射频产生的活性碳原子和H+浓度,从而影响碳纳米管的生长形貌。分别在CH4和H2气体总压强为550 Pa、700 Pa、850 Pa、1 000 Pa下进行试验,具体工艺参数见表6。
图表编号 | XD00163856100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.04.20 |
作者 | 常青、张丽霞、孙湛、宋义河、朱泳安 |
绘制单位 | 哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室、哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室、哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室、哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室、哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室 |
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