《表2 不同离子注入剂量下所测结深》

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《离子注入技术在单晶硅太阳电池上的应用》

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测试完6组硅片方块电阻后，采用德国WEP公司的ECV结深测试仪（型号为CVP21，测试精度为0.000 1）对实验样片进行测试，由于所选p型单晶硅片质量参数一致，故可通过衬底电阻率（掺杂浓度）来确定结深，以保证测试结果的准确性。选取每组硅片中的第二片进行结深测试，测试结果如表2所示，由表2可以看出，当退火温度和退火时间保持不变时，离子注入剂量对结深的影响不大，参考图2(b）和图3，影响结深的主要因素是退火温度和退火时间。