《表1 室温下InGaN/GaN MQWs的结构参量》

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《利用C-V法研究GaN基蓝光LED的多量子阱结构》

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根据图6计算得到多量子阱结构参量如表1所示．其中，采用杂质浓度峰值的半高全宽定义量子阱宽，采用相邻2个杂质浓度峰值的半高全宽间隔定义垒宽，如图6所示．其中第1个量子阱峰值N阱1=6.43×1018 cm-3，峰值对应的结宽l阱=44.61nm，该峰一半峰值的左、右端所对应的位置分别为l11=43.786nm，l12=45.622nm，由此计算出第1个量子阱宽Δl阱1=l12-l11=1.84nm；第2个量子阱一半峰值的左端所对应的位置为l21=58.541nm，则第1个量子垒宽Δl垒1=l21-l12=12.92nm．同理得其他量子阱的阱宽及垒宽数值．根据表1计算得到室温下MQWs结构中InGaN阱层平均杂质浓度为7.12×1018 cm-3，平均阱宽为2.00nm；GaN垒层平均杂质浓度为0.82×1018 cm-3，平均垒宽为12.32nm．计算所得MQWs的结构参量与文献[14]一致．