《表1 采用不同方法在介质衬底上制备h-BN二维晶体的优缺点》

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《介质衬底上生长h-BN二维原子晶体的研究进展》

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与金属衬底不同，由于缺乏催化活性，在介质衬底上生长h-BN二维晶体存在一定困难。近年来，人们已经采用CVD、金属有机气相沉积（MOVPE）、PVD等方法，在Si基（Si、Si3N4/Si以及SiO2/Si）、蓝宝石或石英等介质衬底上成功生长了h-BN二维晶体，并发展了多种方法来改善h-BN二维晶体的成核和生长过程，从而得到了结晶质量高、性能优异的h-BN二维晶体，表1总结了不同技术方法的优缺点，其详细研究进展分述如下。