《表2 Ga2p两自旋轨道分峰振幅比》

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《β-Ga_2O_3体单晶X射线光电子能谱分析》

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图2中还显示，1#、2#和3#样品表面激发的Ga2p峰强均低于表面Ar溅射之后晶体内部的峰强，其中非掺杂晶体表面峰强最低。Si掺杂样品相较于非故意掺杂和Si掺杂退火样品，两个Ga2p分峰振幅有小幅升高，但通过对Ga2p3/2，Ga2p1/2两峰的振幅对比发现，1#、2#和3#样品晶体内部分峰振幅比约为1.47，与之相比，1#、2#和3#样品表面分峰振幅比为1.20～1.28，其中1#样品表面测试结果的分峰振幅比最小。因此可初步认为，测试受表面吸附或杂质影响越小，分峰振幅比越大，具体见表2。