《表6 铜电极经不同浓度HATT (a) 和HXTT (b) 处理1 h后的循环伏安曲线第1圈参数》

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《铜表面三唑硫酮衍生物的自组装及其抗盐酸腐蚀的电化学性能》

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图10和11所示分别为铜电极经HATT和HXTT吸附1 h后在0.5 mol/L盐酸溶液中循环前三圈的循环伏安曲线，其中第一圈的峰电位、峰电流参数见表6。图10（a）和11（a）所示为裸铜电极的循环伏安曲线。结果表明，裸铜电极前三圈的循环伏安曲线基本重合，铜的两个氧化峰分别出现在0.01 V和0.36 V左右，第一个氧化峰是Cu（0）被氧化成Cu（I），然后与电极表面的Cl-形成难溶的CuCl；第二个氧化峰为一价铜氧化成二价铜[8]。负扫描时循环伏安曲线的还原峰中出现-0.29 V附近，对应于氧化态铜的还原为金属铜。