《表8 HATT或HXTT处理后铜表面的S 2p和N 1s XPS峰参数及化学态》

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《铜表面三唑硫酮衍生物的自组装及其抗盐酸腐蚀的电化学性能》

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铜表面吸附HATT或HXTT后S 2p和N 1s的XPS谱及其拟合参数分别见图13、14和表8。每一个S 2p XPS峰由两个对称峰组成，高能峰（S 2p1/2）与低能峰（S 2p3/2）的结合能相差1.18 eV，且S 2p3/2的强度约是S 2p1/2的两倍。图13和表8表明，HATT自组装于铜表面后，其S 2p3/2结合能出现在162.53 eV附近，比其单独存在时的结合能162.04 eV[50]高0.5 eV左右，这说明HATT与表面铜反应生成Cu（I）—S键，结合能升高[50]。此外，163.94/165.12 eV处出现的S 2p3/2 XPS峰可能归属于HATT被氧化为二硫化合物时形成的S—S键[50-51]，其相对含量少。HATT吸附于铜表面后，其N 1s XPS峰分别出现在399.23 eV（C—N—N—C）、400.23 eV（Cu—NH2）和401.18 e V（C—N—C）附近，它们的强度比约为2:1:1，这与文献报道的结果相一致[50]，表明铜与HATT中氨基三唑硫酮官能团中的氨基结合，生成Cu—N键[15，17]。因此，HATT通过其分子中C=S硫原子和NH2氮原子与铜表面的铜原子结合，生成Cu（I）-HATT五元络合物而自组装于铜电极表面[15，17，50]。